--- 产品参数 ---
- 封装 SOT669
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**77E640-VB**是一款高性能的单N沟道MOSFET,封装为SOT669。它采用先进的Trench技术设计,能够在各种应用中提供出色的性能和可靠性。该器件在低导通电阻和高电流能力方面表现优异,非常适合于需要高效率和高功率处理能力的应用场景。
### 详细参数说明
- **型号**: 77E640-VB
- **封装**: SOT669
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.4V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2.4mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理系统**
77E640-VB在电源管理系统中表现出色,特别适用于DC-DC转换器和电池管理系统。它的低导通电阻和高电流处理能力使其在提高系统效率和降低热损耗方面具有显著优势。
2. **电动工具**
在电动工具中,77E640-VB可以用作主开关器件,其高电流能力和耐用性确保了工具的高效运行和长寿命。无论是钻孔机还是电锯,该MOSFET都能提供稳定的性能。
3. **汽车电子**
由于其高电流处理能力和低导通电阻,77E640-VB非常适合用于汽车电子应用,如电动汽车的动力系统和高级驾驶辅助系统(ADAS)。它可以有效地管理高功率负载,确保汽车电子系统的可靠运行。
4. **工业控制**
在工业自动化和控制系统中,77E640-VB可以用作驱动器件,为各种执行器和传感器提供稳定可靠的电力支持。其高可靠性和耐用性使其在严苛的工业环境中依然能够稳定工作。
通过这些应用领域的示例,可以看出77E640-VB是一款多用途、高性能的MOSFET,适用于各种需要高效能和可靠性的电子系统。
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