--- 产品参数 ---
- 沟道 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、77N6F6-VB 产品简介
77N6F6-VB 是一款由 VBsemi 公司推出的高性能单 N 沟道 MOSFET,封装形式为 TO-220。该 MOSFET 具有 60V 的漏源极电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源极电压 (VGS),具有 3V 的栅极阈值电压 (Vth)。其低导通电阻 (RDS(ON)) 为 5 毫欧姆 (mΩ) 在 VGS = 10V 条件下,可以提供高达 120A 的连续漏极电流 (ID)。该器件采用 Trench 技术制造,具有优良的导通和关断特性,适用于多种高功率应用场景。
### 二、77N6F6-VB 详细参数说明
- **封装类型 (Package)**: TO-220
- **配置 (Configuration)**: 单 N 沟道 (Single N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 5mΩ (VGS = 10V)
- **连续漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术 (Technology)**: Trench
### 三、适用领域和模块举例
77N6F6-VB MOSFET 由于其高电流处理能力和低导通电阻,适用于以下领域和模块:
1. **电动汽车 (EV) 驱动系统**:77N6F6-VB 在电动汽车的驱动系统中可以作为主功率开关器件使用,能够高效地处理大电流,提升车辆的整体性能和能效。
2. **太阳能逆变器**:在太阳能逆变器中,该 MOSFET 可用于直流到交流的转换过程中,因其低导通电阻,能够减少能量损耗,提高转换效率。
3. **开关电源 (SMPS)**:77N6F6-VB 在开关电源中,作为高频开关器件使用,其快速开关特性和低导通损耗,有助于提高电源的整体效率和性能。
4. **电机控制**:该 MOSFET 适用于高功率电机控制应用中,如工业电机驱动、家电中的压缩机和风扇控制等,能够提供高效的电流处理和控制能力。
5. **不间断电源 (UPS)**:在 UPS 系统中,77N6F6-VB 作为主功率开关使用,其高电流处理能力和低导通电阻,能够确保系统在高负载情况下的稳定性和高效性。
通过这些例子可以看出,77N6F6-VB 是一款性能优越、适用面广的 MOSFET,适合多种高功率应用场景,能为各类电子设备和系统提供可靠的功率处理解决方案。
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