### 78E760-VB MOSFET 产品简介
78E760-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有较低的导通电阻和高电流处理能力。其封装形式为 SOT669，适合高效能电源管理和开关应用。此 MOSFET 具备 60V 的漏源电压 (VDS)，以及 20V 的栅源电压 (VGS)，使其在高压和高电流应用中表现出色。由于其导通电阻仅为 7.8mΩ@VGS=4.5V 和 6.2mΩ@VGS=10V，它在低压驱动下也能提供高效能。
### 78E760-VB 详细参数说明
- **封装形式**：SOT669
- **配置**：单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：60V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1~3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 7.8mΩ @ VGS=4.5V
- 6.2mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：64A
- **技术**：Trench
### 适用领域和模块举例
#### 电源管理模块
78E760-VB MOSFET 非常适用于电源管理模块，尤其是在高效能电源转换和稳压器中。其低导通电阻和高电流处理能力，使其在直流-直流转换器 (DC-DC Converter) 和开关模式电源 (SMPS) 中表现出色，能够有效地减少功率损耗，提高转换效率。
#### 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV)
在电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统和驱动电路中，78E760-VB 由于其高电流处理能力和低导通电阻，可以帮助提高电池充放电效率，并减少热损耗，延长系统的寿命和可靠性。
#### 工业控制系统
工业控制系统需要可靠且高效的功率开关器件来控制电机和其他高功率负载。78E760-VB 的高电流处理能力和坚固的设计，使其适用于各种工业驱动和控制应用中，确保系统的稳定性和效率。
#### 通信设备
在通信基站和数据中心等设备中，电源的高效管理至关重要。78E760-VB 通过提供低导通电阻和高电流能力，能够在这些应用中优化电源性能，确保设备的稳定运行和高效能。
78E760-VB 是一款性能卓越的 MOSFET，适用于多种高效能电源管理和控制应用，能够帮助实现更高的系统效率和可靠性。
