--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
VBsemi 78N75F4-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO220封装。该器件基于Trench技术设计,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于各种要求高效能和可靠性的电源管理和开关应用。
### 二、详细参数说明
| 参数 | 数值 |
|----------------------|-------------------|
| 封装类型 | TO220 |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源电压 (VDS) | 80V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 3V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 9mΩ @ VGS=4.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 7mΩ @ VGS=10V |
| 连续漏极电流 (ID) | 100A |
| 技术 | Trench |
### 三、应用领域和模块示例
1. **电源供应系统**:
- 78N75F4-VB 可以广泛应用于开关电源、直流-直流转换器和功率放大器等电源管理系统中。其低导通电阻和高电流容量使其能够提高系统的效率和稳定性,特别适用于需要高功率密度和低能耗的应用。
2. **电动车辆**:
- 在电动汽车的电动机驱动器、电池管理系统和充电设备中,这款MOSFET可以用于逆变器、充电器和电动机控制模块。其高电流承载能力和优异的热稳定性能够支持电动车辆的高性能和长期可靠性要求。
3. **工业控制**:
- 该MOSFET适用于工业自动化设备的电机驱动、逻辑控制器(PLC)和机器人控制系统中。在这些应用中,78N75F4-VB 可以帮助优化能效,提升设备的响应速度和运行稳定性,适应高负载和多变环境的需求。
4. **通信设备**:
- 在通信基站的功率放大器和电源管理单元中,该器件能够提供稳定的功率转换和高效的能量传输。它的高速开关特性和低损耗设计有助于减少热量生成和系统能耗,提高通信设备的整体效率。
通过以上示例,可以看出 VBsemi 78N75F4-VB 在多个领域中具有广泛的应用潜力,为高性能电源管理和电动控制系统提供可靠的解决方案。
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