--- 产品参数 ---
- 封装 DFN8(3X3)
- 沟道 Dual-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**7900AYWW-VB**是一款双N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装。它利用先进的Trench技术设计,为各种电子应用提供高效能和可靠性。
### 详细参数说明
- **型号**: 7900AYWW-VB
- **封装**: DFN8(3X3)
- **配置**: 双N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS = 4.5V
- 10mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 9.4A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **移动设备**
7900AYWW-VB的小尺寸和高电流能力使其非常适合用于便携式移动设备,如智能手机和平板电脑。它可以作为功率管理和电池管理系统中的关键组件,帮助提升设备的电池寿命和充放电效率。
2. **电源适配器**
在电源适配器中,这款MOSFET可以用作主开关器件,其低导通电阻和高开关速度有助于提高适配器的效率和稳定性。它能够有效地管理输入和输出电压,确保电子设备获得稳定的电力供应。
3. **车载电子**
由于其低阈值电压和高电流承载能力,7900AYWW-VB适合用于车载电子系统中,如汽车音响系统和车载信息娱乐系统。它可以提供高效的功率放大和开关控制,增强汽车电子设备的性能和可靠性。
4. **LED照明**
在LED照明应用中,这款MOSFET可以用作LED驱动器件,帮助实现LED灯具的高效能和长寿命。它的低导通电阻和高电流处理能力使其能够有效地控制LED的亮度和功耗,提升照明系统的能效。
通过以上示例,可以看出7900AYWW-VB适用于多种领域和模块,其高性能和多功能特性使其成为电子工程师在设计现代电子设备和系统时的理想选择。
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