--- 产品参数 ---
- 封装 TO262
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、80N055DG-VB 产品简介
80N055DG-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO262 封装。它设计用于中压高电流的应用环境,具有低导通电阻和高电流承载能力,适合于功率开关和电源管理应用。
### 二、80N055DG-VB 详细参数说明
- **封装类型 (Package)**: TO262
- **配置 (Configuration)**: 单 N 沟道 (Single N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 6mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术 (Technology)**: Trench
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### 三、适用领域和模块举例
80N055DG-VB MOSFET 可以广泛应用于以下领域和模块:
1. **电动工具**:作为电动工具中的功率开关元件,如电动钻、电锤等,能够提供高效的功率控制和驱动能力。
2. **电动车辆**:用于电动车辆的电池管理系统和电机控制模块,能够处理高电流和高功率需求,确保车辆的高效运行和安全性能。
3. **电源模块**:适用于需要处理中等电压和高电流的电源管理模块,如直流-直流变换器和直流-交流逆变器。
4. **工业自动化**:在工业控制系统中作为功率开关使用,如工业机器人、自动化生产线中的驱动控制和电力分配系统。
5. **电力电子**:用于需要处理中等电压和高电流的电力电子应用,如工业电子设备和电源系统中的功率开关和保护装置。
综上所述,80N055DG-VB 是一款高性能、适用广泛的中压单 N 沟道 MOSFET,特别适合于需要高电流和低导通电阻处理能力的各类功率开关和电源管理应用场合。
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