--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
VBsemi 80N10L-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装。该器件通过Trench技术设计,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于多种高功率开关和电源管理应用。
### 二、详细参数说明
| 参数 | 数值 |
|----------------------|---------------------|
| 封装类型 | TO220 |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源电压 (VDS) | 100V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 2.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 20mΩ @ VGS=4.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 9mΩ @ VGS=10V |
| 连续漏极电流 (ID) | 100A |
| 技术 | Trench |
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### 三、应用领域和模块示例
1. **电动汽车和电动工具**:
- 80N10L-VB 可以用作电动汽车的电动机控制器中的功率开关,支持高功率和高效能的电动驱动系统。此外,它也适用于工业用电动工具的电源开关模块。
2. **电源逆变器和UPS系统**:
- 在电源逆变器和不间断电源系统(UPS)中,这款MOSFET可以用于高频开关电源和高效能的电力转换,确保设备在断电时依然能够稳定运行。
3. **工业自动化**:
- 在工业控制和自动化系统中,80N10L-VB 可以用于高功率的电力开关,如工业机器人的控制电路和工厂自动化设备的电源管理。
4. **太阳能逆变器和电池储能系统**:
- 由于其高电流承载能力和低导通电阻,该MOSFET适用于太阳能逆变器和电池储能系统中的功率开关和电源管理单元,有助于提高能源的转换效率和系统的可靠性。
通过以上示例,可以看出 VBsemi 80N10L-VB 在多个领域中都具有重要的应用价值,特别是在需要高功率和高性能电源管理的应用场景中表现出色。
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