--- 产品参数 ---
- 封装 DFN8(5X6)
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、85U03GMT-VB 产品简介
85U03GMT-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET,采用 DFN8(5X6) 封装。这款器件具有低导通电阻和高电流承载能力,适合于低压高效率的应用场合,如电源管理和功率开关。
### 二、85U03GMT-VB 详细参数说明
- **封装类型 (Package)**: DFN8(5X6)
- **配置 (Configuration)**: 单 N 沟道 (Single N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术 (Technology)**: Trench

### 三、适用领域和模块举例
85U03GMT-VB MOSFET 适用于多种领域和模块,包括但不限于:
1. **电动工具和电动车辆**:在电动工具和电动车辆中作为电机驱动和电池管理的关键组件,提供高效的功率转换和电流控制,增强设备的性能和耐久性。
2. **消费电子产品**:在智能手机、平板电脑等消费电子产品的电源管理模块中,确保设备在低压条件下的高效能运行,延长电池续航时间。
3. **电源适配器和充电器**:作为开关电源的主要元件,用于各种类型的电源适配器和充电器中,提供高效的电能转换和充电性能。
4. **工业控制和自动化**:在工业控制系统和自动化设备中,用于电源管理和电流控制,确保设备的稳定性和可靠性。
5. **LED 照明**:在LED 照明驱动电路中,用于功率开关和电流控制,提供高效能的照明解决方案。
综上所述,85U03GMT-VB 是一款多功能的单 N 沟道 MOSFET,适合于需要高电流和低导通电阻的各种电源管理和功率开关应用,为现代电子设备和系统提供稳定和高效的电能管理解决方案。
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