8N50H-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、产品简介

VBsemi 8N50H-VB 是一款单N沟道场效应管（MOSFET），采用TO220F封装。该器件适用于高压应用，具有低导通电阻和较高的漏极电流承载能力。

### 二、详细参数说明

| 参数                   | 数值                |
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| 封装类型               | TO220F              |
| 配置                   | 单N沟道              |
| 漏源电压 (VDS)         | 650V                |
| 栅源电压 (VGS)         | ±30V                |
| 阈值电压 (Vth)         | 3.5V                |
| 导通电阻 (RDS(ON))     | 680mΩ @ VGS=10V     |
| 连续漏极电流 (ID)      | 12A                 |
| 技术                   | Plannar             |

### 三、应用领域和模块示例

1. **电源供应**：
  - 在电源开关和变换器中，8N50H-VB 可用于高压直流电源转换和稳定化。其高漏极电压和较低的导通电阻使其特别适合于需要高效能和可靠性的电源管理系统。

2. **工业自动化**：
  - 在工业控制设备中，如电机驱动器和变频器，该MOSFET可用于电流控制和功率开关，以提高设备的能效和响应速度。

3. **电动工具**：
  - 在电动工具的电动马达控制中，8N50H-VB 可以作为电池管理系统的关键部件，用于电动工具的高效能和长时间使用。

4. **电动车辆充电**：
  - 在电动车辆的充电桩和充电控制器中，该MOSFET可用于高压直流电源开关，确保充电过程的稳定性和效率。

通过以上示例，可以看出 VBsemi 8N50H-VB 在高压应用场合具有广泛的应用前景，特别适用于需要高效能、高电压和大电流承载能力的电源管理和功率开关应用。