--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
VBsemi 8N65L-TF1-T-VB 是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,设计用于要求高稳定性和可靠性的功率电子应用。其优秀的特性使其在各种高压开关和电源管理系统中表现突出。
### 二、详细参数说明
- **型号**: 8N65L-TF1-T-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 650V
- **最大栅源电压 (VGS)**: 30V (±)
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 7A
- **技术**: Plannar
### 三、适用领域和模块
1. **工业电源系统**
8N65L-TF1-T-VB 可以作为工业电源系统中的关键组件,用于高压直流电源的开关控制和稳定调节。其能够处理高达650V的漏源电压和7A的电流,适用于工厂设备和机械的电源管理需求。
2. **UPS系统**
在UPS(不间断电源)系统中,8N65L-TF1-T-VB 可以作为开关电路的核心元件,用于电网电源和备用电源之间的切换,确保在电力中断时系统能够平稳运行并提供稳定的输出电压和电流。
3. **太阳能逆变器**
在太阳能发电系统的逆变器中,8N65L-TF1-T-VB 可以用作高压直流到交流的关键开关元件,将太阳能板收集的直流电转换为交流电,以供电网使用或存储。
4. **电动车充电桩**
在电动车充电桩中,8N65L-TF1-T-VB 可以作为充电过程中电流控制和保护的关键开关,确保充电桩能够安全、高效地为电动车充电。
综上所述,VBsemi 8N65L-TF1-T-VB 是一款适用于高压功率开关和电源管理应用的单N沟道MOSFET,特别适合工业电源系统、UPS系统、太阳能逆变器和电动车充电桩等领域的应用。
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