--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**8N65-VB** 是一款单通道 N 型 MOSFET,采用 TO220 封装,由 VBsemi 提供。它设计用于中高压应用环境,具备较高的击穿电压和稳定的电性能,适合要求可靠性和高功率处理能力的场合。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单通道 N 型
- **击穿电压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: 平面结构 (Plannar)
### 应用领域和模块示例
**8N65-VB** MOSFET 在以下领域和模块中有广泛应用:
1. **电源逆变器**: 在工业和家用逆变器中,作为开关电源器件,用于将直流电转换为交流电,供应各种电子设备和家电使用。
2. **电动车充电桩**: 作为电动车充电桩的功率开关器件,确保高效率的电能转换和稳定的充电过程。
3. **工业电力设备**: 在工业设备中的电机控制、变频器和电源管理中,用于实现高效能的电能传输和功率控制。
4. **电源管理**: 在各种工业控制系统和电子设备中的电源管理模块中,8N65-VB 可以用作关键的功率开关元件,提供稳定的电能转换和管理能力。
5. **照明应用**: 在LED照明系统中,用作LED驱动器的功率开关,以确保照明系统的高效运行和长寿命。
综上所述,**8N65-VB** 是一款适用于中高压、高功率应用的可靠 MOSFET,其稳定性能和优异的电气特性使其在工业、电动车充电、电源管理和照明等领域中得到广泛应用。
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