8N80L-TF2-T-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、产品简介

VBsemi 8N80L-TF2-T-VB 是一款单N沟道场效应管（MOSFET），采用TO220F封装。它具有高达800V的漏极电压承受能力和770mΩ的低导通电阻。

### 二、详细参数说明

| 参数                   | 数值                |
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| 封装类型               | TO220F              |
| 配置                   | 单N沟道              |
| 漏源电压 (VDS)         | 800V                |
| 栅源电压 (VGS)         | ±30V                |
| 阈值电压 (Vth)         | 3.5V                |
| 导通电阻 (RDS(ON))     | 770mΩ @ VGS=10V     |
| 连续漏极电流 (ID)      | 7A                  |
| 技术                   | SJ_Multi-EPI        |

### 三、应用领域和模块示例

1. **工业电源系统**：
  - 8N80L-TF2-T-VB 可用作工业电源系统中的开关管，适用于高压直流电源转换和稳定化控制，如工厂设备的电力供应模块。

2. **太阳能逆变器**：
  - 在太阳能发电系统的逆变器中，该器件能够提供高效的功率转换和稳定的电压输出，确保太阳能电池板产生的直流电能能够有效地转换为交流电能。

3. **电动车充电桩**：
  - 用于电动车充电桩的功率开关控制，保证在高压条件下的安全、快速充电，同时确保电能传输的高效率。

4. **医疗设备**：
  - 在需要高电压和稳定电源的医疗设备中，如医用电子设备和成像系统，该MOSFET可以提供可靠的电力管理和控制。

以上示例展示了 8N80L-TF2-T-VB 在高压、高效率能源转换和稳定性要求较高的各种应用场合中的广泛应用。