--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**8N80L-TF1-T-VB** 是一款单通道 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封装,由 VBsemi 提供。它设计用于高压应用环境,具备高击穿电压和稳定的电性能,适合要求高可靠性和中功率处理能力的应用场合。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单通道 N 型
- **击穿电压 (VDS)**: 800V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 770mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 7A
- **技术**: SJ_Multi-EPI (多重外延平面结构)
### 应用领域和模块示例
**8N80L-TF1-T-VB** MOSFET 在以下领域和模块中有广泛应用:
1. **电源转换器**: 用作开关电源器件,特别是在电源转换和逆变器中,以实现高效率的电能转换和管理。
2. **电动车充电设备**: 作为电动车充电桩的功率开关器件,确保高效率和可靠的充电过程。
3. **工业控制系统**: 在工业控制设备中的电机控制、变频器和电源管理系统中,用于实现高效的功率控制和管理。
4. **医疗设备**: 在医疗设备的电源管理和控制模块中,确保稳定的电力供应和系统运行。
5. **电源逆变器**: 在各种逆变器和UPS系统中,作为关键的功率开关元件,提供可靠的电能转换和供应。
综上所述,**8N80L-TF1-T-VB** 是一款适用于高压、中功率应用的可靠 MOSFET,其稳定性能和优异的电气特性使其在电源转换、工业控制、电动车充电和医疗设备等多个领域中得到广泛应用。
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