8NM60ND-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、产品简介

VBsemi 8NM60ND-VB 是一款单N沟道场效应管（MOSFET），采用TO220F封装。它具有高达650V的漏极电压承受能力和680mΩ的低导通电阻。

### 二、详细参数说明

| 参数                   | 数值                |
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| 封装类型               | TO220F              |
| 配置                   | 单N沟道              |
| 漏源电压 (VDS)         | 650V                |
| 栅源电压 (VGS)         | ±30V                |
| 阈值电压 (Vth)         | 3.5V                |
| 导通电阻 (RDS(ON))     | 680mΩ @ VGS=10V     |
| 连续漏极电流 (ID)      | 12A                 |
| 技术                   | Plannar             |

### 三、应用领域和模块示例

1. **电源管理**：
  - 8NM60ND-VB 可以用于开关电源的主要开关管，如逆变器和开关电源单元，以实现高效能的电能转换和稳定的电源输出。

2. **电动车充电器**：
  - 在电动车充电器中，该器件可以作为功率开关管，用于控制电动车电池充电时的电流和电压，确保充电过程高效而安全。

3. **工业控制系统**：
  - 由于其高电压和高电流特性，适用于工业自动化控制系统中的电力开关和控制模块，例如工厂机械设备的电源控制和电动机驱动。

4. **太阳能逆变器**：
  - 在太阳能发电系统中，用作逆变器的关键部件，确保从太阳能板收集的直流电能能够高效地转换为可用的交流电能。

以上示例说明了 8NM60ND-VB 在高压、高效率能源转换和稳定性要求较高的各种应用场合中的广泛应用。