### 90N4F3-VB MOSFET 产品简介
90N4F3-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 Trench 技术制造，封装为 TO220。它具有40V 的漏源电压 (VDS) 能力，适合于低电压应用的电路设计。该器件的栅源电压 (VGS) 为 ±20V，阈值电压 (Vth) 约为 2.5V。在 VGS=4.5V 和 VGS=10V 时，导通电阻 (RDS(ON)) 分别为 7mΩ 和 6mΩ，漏极电流 (ID) 最大可达110A。这些特性使得该器件在需要低导通电阻和高电流承载能力的场合具有优异的性能。
### 90N4F3-VB 详细参数说明
- **封装形式**：TO220
- **配置**：单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：40V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 7mΩ @ VGS=4.5V
- 6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：110A
- **技术**：Trench
### 适用领域和模块举例
#### 电源管理和电动工具
90N4F3-VB 可以广泛应用于电源管理系统和电动工具的电路设计中。例如，它适合于低压 DC-DC 变换器、电池管理系统和各种电动工具的功率开关，提供高效的能量转换和可靠的性能。
#### 电动车辆和充电设备
在电动车辆的电机驱动系统和充电设备中，该器件能够承受高功率负载和快速开关需求。它可用于电动汽车的电机控制、充电桩电源开关和电池组管理，确保系统的高效运行和长期可靠性。
#### 工业自动化和电力电子
90N4F3-VB 在工业自动化和各类电力电子设备中也有重要应用。它适用于工业驱动器、机器人控制系统和各种电力工具的功率开关，提供精确的电力控制和高效的能源利用率。
以上例子展示了 90N4F3-VB MOSFET 在多种领域和模块中的广泛应用，表明其在低压、高电流环境下的优越性能和适用性。
