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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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90N4F3-VB TO262一款Single-N沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 90N4F3-VB TO262
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO262
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、90N4F3-VB型号的产品简介详细

90N4F3-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用Trench技术制造,封装为TO262。它具有优良的电性能特征,适合在需要高电流和低导通电阻的电路中使用。该器件的主要特点包括高电流承受能力和低开启电阻,使其成为各种高性能电源管理和功率控制应用的理想选择。

### 二、90N4F3-VB型号的详细参数说明

- **封装类型**:TO262
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:40V
- **栅源电压(VGS)**:20V(±V)
- **阈值电压(Vth)**:2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**:100A
- **技术**:Trench

 

### 三、适用领域和模块举例

90N4F3-VB适用于以下领域和模块:

1. **电源开关和DC-DC转换器**:
  在电源管理系统中,用于高效的电能转换和电压调节,如电动工具、家用电器和汽车电子。

2. **电动车辆**:
  作为电动车辆的电池管理系统中的功率开关元件,支持高功率充电和驱动控制。

3. **工业自动化**:
  在工业控制和自动化系统中,用于高速开关和电机驱动,以提高生产效率和系统可靠性。

4. **服务器和数据中心电源管理**:
  在大型计算机系统和数据中心中,用于电源开关和功率分配,确保系统稳定性和效率。

90N4F3-VB因其高电流承受能力、低导通电阻和稳定的性能,在要求高性能和高可靠性的电源管理和功率控制应用中具有广泛的应用前景。

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