--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
90N55F4-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO263封装,具有高性能和可靠性,适用于高功率应用环境。
### 详细参数说明
- **型号**: 90N55F4-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 60V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 4mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 150A
- **技术**: Trench(沟槽工艺)
### 应用领域和模块举例
90N55F4-VB适用于以下领域和模块:
1. **电源供应**
- 用于开关电源和电源管理模块中的功率开关器件,实现高效能量转换和稳定的电源输出。
2. **电动工具**
- 作为电动工具和电动车辆的电机驱动器件,支持高功率输出和长时间运行。
3. **工业控制**
- 在工业自动化和机器人控制系统中,用作电力开关和电机驱动,实现精确的电力控制和高效的能量转换。
4. **电子设备**
- 在高性能电子设备中,用于功率管理和电源控制,确保设备稳定运行和能源效率。
5. **汽车电子**
- 在汽车电子系统中,用作电动汽车的电动机控制和电池管理系统,支持车辆动力输出和能源回收。
90N55F4-VB因其低导通电阻、高电流承载能力和可靠的沟槽工艺技术,特别适合需要高功率密度和高效能转换的应用场景。
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