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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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90N55F4-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 90N55F4-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO263
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

90N55F4-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO263封装,具有高性能和可靠性,适用于高功率应用环境。

### 详细参数说明

- **型号**: 90N55F4-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 60V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 4mΩ @ VGS=10V

- **漏极电流(ID)**: 150A
- **技术**: Trench(沟槽工艺)

### 应用领域和模块举例

90N55F4-VB适用于以下领域和模块:

1. **电源供应**
  - 用于开关电源和电源管理模块中的功率开关器件,实现高效能量转换和稳定的电源输出。

2. **电动工具**
  - 作为电动工具和电动车辆的电机驱动器件,支持高功率输出和长时间运行。

3. **工业控制**
  - 在工业自动化和机器人控制系统中,用作电力开关和电机驱动,实现精确的电力控制和高效的能量转换。

4. **电子设备**
  - 在高性能电子设备中,用于功率管理和电源控制,确保设备稳定运行和能源效率。

5. **汽车电子**
  - 在汽车电子系统中,用作电动汽车的电动机控制和电池管理系统,支持车辆动力输出和能源回收。

90N55F4-VB因其低导通电阻、高电流承载能力和可靠的沟槽工艺技术,特别适合需要高功率密度和高效能转换的应用场景。

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