### 一、产品简介
**产品型号：** 9915J-VB
**封装形式：** TO251
**配置：** 单N沟道MOSFET
**技术：** Trench技术
9915J-VB是一款单N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术设计，具有低导通电阻和高电流承载能力，适合于需要高效能和可靠性的功率管理和开关应用。
### 二、详细参数说明
- **VDS（漏源极电压）：** 30V
- **VGS（栅源极电压）：** ±20V
- **Vth（阈值电压）：** 1.7V
- **RDS(ON)（导通电阻）：**
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **ID（漏极电流）：** 50A
### 三、应用领域及模块举例
9915J-VB适用于多种需要高效率和高电流承载能力的功率管理和开关控制领域，例如：
- **电源管理和供电系统：** 在开关电源、DC-DC转换器和稳压器中，用于提升能量转换效率和电源稳定性。
- **电动工具和家电：** 用于电动工具的电机控制和家电产品的电源管理，提高设备的性能和能效。
- **电动车辆充电系统：** 作为电动车充电桩中的关键开关器件，确保高效的充电过程和稳定的电能转换。
- **工业自动化和电力控制：** 用于工业控制系统中的电机驱动、电力开关和功率逆变控制，提高设备的生产效率和精度。
综上所述，9915J-VB MOSFET因其优异的导通特性和高电流承载能力，广泛应用于要求高性能功率开关和电流控制的工业和消费电子领域。
