--- 产品参数 ---
- 封装 TO251
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 9916J-VB 产品简介
9916J-VB 是一款单 N 沟道场效应管(MOSFET),采用先进的沟道技术,具有低导通电阻和高漏极电流特性,适用于各种需要高效能和高功率的电子应用场合。
### 9916J-VB 详细参数说明
- **Package(封装):** TO251
- **Configuration(配置):** 单 N 沟道
- **VDS(漏极-源极电压):** 30V
- **VGS(栅极-源极电压):** ±20V
- **Vth(阈值电压):** 1.7V
- **RDS(ON)(导通电阻):** 9mΩ @ VGS=4.5V, 7mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏极电流):** 50A
- **Technology(技术):** 沟道技术(Trench)

### 应用举例
9916J-VB 可以广泛应用于以下领域和模块:
1. **电源管理系统:** 适用于高效率的电源开关和调节电路,如电源适配器、电池管理系统和DC-DC转换器。
2. **电动工具:** 在电动工具的电机驱动电路中,9916J-VB 可提供高电流输出和优异的导通特性,保证设备的高效运行和长期稳定性。
3. **汽车电子:** 用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和其他功率控制应用,能够在汽车环境中提供可靠的性能。
4. **工业控制:** 在工业自动化和控制系统中,9916J-VB 可作为电机控制器、逆变器和开关电源的关键组件,提升系统的效率和可靠性。
9916J-VB 的设计特性使其成为现代电子设备设计中重要的选择,能够满足各种高功率和高效能的应用需求。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12