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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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9922GEO-VB一款Common Drain-N+N沟道TSSOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 9922GEO-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TSSOP8
  • 沟道 Common Drain-N+N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、产品简介

**产品型号:** 9922GEO-VB  
**封装形式:** TSSOP8  
**配置:** 共漏极N+N沟道MOSFET  
**技术:** Trench技术

9922GEO-VB是一款采用Trench技术的共漏极N+N沟道MOSFET,设计用于需要高效能和可靠性的电源管理和开关控制应用。

### 二、详细参数说明

- **VDS(漏源极电压):** 30V
- **VGS(栅源极电压):** ±20V
- **Vth(阈值电压):** 1.7V
- **RDS(ON)(导通电阻):**
 - 19mΩ @ VGS = 4.5V
 - 12mΩ @ VGS = 10V
- **ID(漏极电流):** 8.6A

### 三、应用领域及模块举例

9922GEO-VB适用于多种功率管理和开关控制领域,具体应用包括但不限于:

- **电源管理和供电系统:** 在DC-DC转换器、稳压器和开关电源中,用于提升能源转换效率和电源稳定性。
- **电动工具和家电:** 作为电动工具电机控制和家用电器的电源管理部件,提高设备的功率密度和能效。
- **车载电子:** 用于车辆电子系统中的电池管理、电动汽车充电系统和电动驱动控制。
- **工业自动化:** 在工业机器人、自动化设备和电力工具中,用于高性能电动驱动和精确控制。

综上所述,9922GEO-VB因其低导通电阻、高电流承载能力和广泛的应用领域,是功率管理和开关控制系统中的理想选择,能够提升系统的效率和性能。

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