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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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9923GEO-VB一款Dual-P+P沟道TSSOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 9923GEO-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TSSOP8
  • 沟道 Dual-P+P

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 9923GEO-VB 产品简介详细

9923GEO-VB 是一款双 P+N 沟道场效应管,采用 Trench 技术制造。它具有负20V的漏极-源极电压(VDS),适用于双极性操作,并且具有低导通电阻和良好的性能特性。

### 9923GEO-VB 详细参数说明

- **包装(Package):** TSSOP8
- **结构配置(Configuration):** 双 P+N 沟道(Dual-P+P-Channel)
- **漏极-源极电压(VDS):** -20V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** -1.2V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 
 - 18mΩ @ VGS=4.5V
 - 13mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** -7.5A
- **技术制程(Technology):** Trench

### 适用领域和模块示例

9923GEO-VB 适用于以下领域和模块的应用:

1. **电源管理:** 在双极性电源管理电路中,例如笔记本电脑和移动设备的电源管理单元。
  
2. **电动工具:** 用于控制电动工具中电机的开关和驱动电路,以实现高效能和可靠性。
  
3. **充电保护:** 作为充电器和电池充电管理系统中的保护开关,确保充电过程中的安全和效率。
  
4. **汽车电子:** 在汽车电子系统中,例如电动车的电动机控制和电池管理系统。

9923GEO-VB 的双极性设计使其在需要同时处理正负电压信号的电路中非常有用,同时其低导通电阻和高电流承载能力确保了优越的性能表现。

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