### 9926GO-VB MOSFET 产品简介
9926GO-VB是一款双N沟道共漏极MOSFET，采用Trench技术，封装为TSSOP8。具有低导通电阻和适中的电流容量，适合于低压应用和需要双通道控制的电路设计。
### 9926GO-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**: TSSOP8
- **配置**: 双N沟道共漏极
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 32mΩ @ VGS = 2.5V
- 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**: 6.6A
- **技术**: Trench
### 9926GO-VB MOSFET 应用领域和模块示例
9926GO-VB适用于多种需要双通道控制和低压操作的领域和模块。以下是一些应用示例：
1. **电源管理**:
- **低压电源模块**: 在手机、平板电脑和其他便携设备的电源管理模块中，提供高效的电压转换和电流控制。
2. **信号处理**:
- **信号开关**: 在低电压信号处理电路中，用于快速和精确的信号开关控制，支持高频率的信号处理需求。
3. **电动工具**:
- **电动工具控制**: 在电动工具的电机控制电路中，用于电机驱动和功率调节，提供稳定的电流和功率输出。
9926GO-VB MOSFET通过其双通道共漏极设计和优越的导通特性，适合于需要灵活控制和高效能转换的电子设备和系统设计。
