--- 产品参数 ---
- 封装 TSSOP8
- 沟道 Common Drain-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
9928GEO-VB 是一款常开式双通道N+N沟道MOSFET,采用TSSOP8封装,设计用于高效能和高功率密度的应用场合。该器件具有20V的漏源电压和6.6A的连续漏极电流能力,适用于要求低导通电阻和优异开关特性的电源管理和驱动电路。
### 产品参数说明
- **型号**:9928GEO-VB
- **封装**:TSSOP8
- **配置**:常开式双通道N+N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:20V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 32mΩ @ VGS = 2.5V
- 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **连续漏极电流 (ID)**:6.6A
- **技术**:Trench(沟槽)

### 应用领域和模块举例
9928GEO-VB 在以下领域和模块中具有广泛的应用:
1. **电源管理**:
- 适用于高效能的DC-DC转换器和开关电源模块,如笔记本电脑适配器、便携式电子设备的电源管理。
2. **电动工具**:
- 作为电池管理和马达控制的关键组件,支持电动工具中的高功率输出和长时间使用。
3. **电动汽车**:
- 用于电动汽车的电池管理系统,包括高功率密度的电池充放电管理和电动马达驱动控制。
4. **工业自动化**:
- 在工业控制系统中用作开关器件,如电机驱动器、PLC输出模块和功率逆变器,提供高效能转换和功率密度。
5. **通信设备**:
- 在通信基站和设备中,用作功率放大器和射频开关,以实现高速、低延迟的信号处理和功率管理。
9928GEO-VB 结合了低导通电阻和优异的开关特性,适合需要高效率、紧凑性和可靠性的电子系统和设备,特别是对功率密度和效能要求较高的应用场景。
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