--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Dual-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
9980M-VB是一款高性能的双N+N沟道MOSFET,采用SOP8封装。该器件设计优化了功率密度和效能,适用于各种需要高可靠性和高效能的电子应用。
### 产品参数
- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 双N+N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 80V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 62mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 3.5A
- **技术**: Trench
### 适用领域和模块
9980M-VB MOSFET因其设计优化和高性能特性,在多个领域和模块中具有广泛的应用:
1. **电源逆变器**:适用于家电和工业设备的电源逆变器模块,提供高效的电能转换和稳定的电压输出,如电动工具、空调系统等。
2. **电动车辆**:作为电动汽车的电池管理和驱动控制器,能够处理高电流和高频率开关需求,提升车辆的动力性能和能效。
3. **工业自动化**:在自动化控制系统中,特别是需要频繁开关和高电流传输的场合,9980M-VB能够提供稳定可靠的性能,用于电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等模块。
4. **LED照明**:应用于高功率LED驱动电路中,能够有效地控制电流,提供稳定的亮度和长期可靠性,适用于室内和室外照明系统。
5. **消费电子产品**:如笔记本电脑、智能手机和平板电脑的电源管理系统,能够提供高效的电能转换和稳定的电源输出,延长设备的使用寿命并提升能效。
9980M-VB MOSFET凭借其双N+N沟道结构和优异的性能特性,能够满足复杂电子系统的需求,提高系统效率并降低能源消耗。
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