### 9NM40N-VB MOSFET 产品简介
9NM40N-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用 TO220 封装。它支持高达 500V 的漏源电压 (VDS) 和 ±30V 的栅源电压 (VGS)，阈值电压 (Vth) 为 3.1V。采用了平面结构 (Plannar) 技术，该 MOSFET 在 VGS = 10V 时的导通电阻 (RDS(ON)) 为 660mΩ，最大漏极电流 (ID) 为 13A。这使得它适用于需要中高电压和适中电流的功率控制和开关应用。
### 9NM40N-VB MOSFET 详细参数说明
- **型号**: 9NM40N-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**: 500V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.1V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 660mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 13A
- **技术**: 平面结构 (Plannar)
### 应用领域和模块示例
1. **电源开关**:
9NM40N-VB 可用于中高压的电源开关和电源管理模块，如开关电源和逆变器。其能够处理高达 500V 的电压，并提供稳定的电力输出和高效能的能量转换。
2. **工业控制**:
在工业自动化和控制系统中，该型号的 MOSFET 可用作电机驱动器和电流控制器。其高电压承受能力和稳定性能确保了工业设备在复杂环境中的可靠运行。
3. **电动车辆充电器**:
在电动车充电系统中，9NM40N-VB 可用于直流充电桩的电源开关和电流调节器。其高电压和中等导通电阻使其在电动车辆充电系统中表现良好。
4. **UPS 电源**:
在不间断电源 (UPS) 系统中，该型号的 MOSFET 可用于电池管理和电源开关，确保设备在电网故障时的持续供电和系统稳定性。
通过以上示例可以看出，9NM40N-VB MOSFET 在多个领域中都有广泛的应用，特别适合需要处理中高电压和适中电流的功率控制和开关应用场景。
