### 产品简介
9R1K0C-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，封装形式为TO247。这款MOSFET具有高达900V的漏源电压（VDS）能力，栅源电压（VGS）最大可达±30V。具有较高的阈值电压（Vth=3.5V）和相对较低的导通电阻，适合中功率应用场合。
### 详细参数说明
- **封装形式（Package）**: TO247
- **配置（Configuration）**: 单N沟道（Single-N-Channel）
- **漏源电压（VDS）**: 900V
- **栅源电压（VGS）**: ±30V
- **阈值电压（Vth）**: 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 750mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**: 9A
- **技术（Technology）**: SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块
9R1K0C-VB MOSFET适用于多种中功率电子设备和电路模块，以下是几个具体应用示例：
1. **工业电力电子**：
- 在工业电力电子设备中，如高压逆变器和电源模块中，9R1K0C-VB用作开关管，支持高效能转换和电能控制。
2. **太阳能逆变器**：
- 在太阳能发电系统的逆变器中，9R1K0C-VB用于高压开关和直流-交流转换，确保电能的高效转换和输出稳定性。
3. **电动车充电设备**：
- 作为电动车充电设备的关键元件，用于高压直流充电桩的开关控制和电池充电管理，确保充电效率和安全性。
4. **工业驱动器**：
- 在工业驱动器和电机控制系统中，用于驱动高压电机和执行器，提供精确的电力管理和高效的驱动控制。
5. **电源管理**：
- 在需要高效能电源管理的工业自动化设备中，如PLC控制器和服务器电源单元，9R1K0C-VB提供稳定的电力输出和设备运行所需的高效能支持。
9R1K0C-VB具有高漏源电压和低导通电阻的特点，适合需要处理高电压和中功率要求的各类工业和消费电子应用场景。
