### 产品简介
**AFN2376S23RG-VB** 是由 VBsemi 公司生产的一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 SOT23-3 封装。该 MOSFET 具有 60V 的漏源电压（VDS）和最大 5.5A 的漏极电流（ID），采用 Trench 技术，适用于需要高效能和低导通电阻的各种应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**：SOT23-3
- **配置**：单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：60V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 33mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：5.5A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块
**AFN2376S23RG-VB** MOSFET 可以在以下领域和模块中得到应用：
1. **消费电子产品**：适用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑等设备中的电源管理和负载开关，提供高效的电力转换和电流控制功能。
2. **电源适配器和充电器**：在各种电源适配器和充电器中作为高效的功率开关，确保充电过程的高效能和稳定性。
3. **汽车电子**：用于汽车电子系统中的电源管理和电流控制，例如车灯控制、车身控制模块和娱乐系统。
4. **工业控制**：在工业自动化和控制系统中，用于电源管理和负载开关控制，支持工业设备的高效能运行和稳定性。
5. **LED 驱动器**：适用于 LED 驱动器和照明系统中的电源开关和电流控制，提供高效的能量转换和照明控制功能。
综上所述，AFN2376S23RG-VB 是一款适用于多种高效能和低导通电阻要求的单 N 沟道 MOSFET，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制和 LED 驱动等领域。
