--- 产品参数 ---
- 封装 DFN8(5X6)
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
AM7433P-T1-PF-VB是一款单P沟道MOSFET,采用先进的Trench技术,封装形式为DFN8(5X6)。这款MOSFET具有负漏源极电压(-30V),适合在需要P沟道器件的电源管理和开关电路中应用。
### 详细参数说明
- **型号**: AM7433P-T1-PF-VB
- **封装**: DFN8(5X6)
- **配置**: 单P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: -30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 7.8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -60A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
AM7433P-T1-PF-VB适用于多种应用场景,以下是几个主要的应用领域和模块示例:
1. **电源开关模块**: 在需要负漏源极电压的电源管理系统中,如电池保护电路、逆变器和DC-DC转换器中,AM7433P-T1-PF-VB可以作为主要的开关器件。其高导通电流和低导通电阻特性确保了高效率和可靠性。
2. **电动工具和电动车**: 在电动工具和电动车的电池管理和驱动系统中,该MOSFET可以用来控制电机的启停和电源的管理,保证系统的高效能和长期稳定性。
3. **消费电子设备**: 在笔记本电脑、平板电脑等消费电子设备的电源管理模块中,AM7433P-T1-PF-VB可以用来提高电池使用效率和延长设备续航时间。
4. **工业自动化**: 在工业自动化系统中,特别是需要控制高电流负载和具有负漏极电压要求的场合,该MOSFET能够提供可靠的性能和长寿命。
由于其负漏源极电压和高性能特性,AM7433P-T1-PF-VB在现代电子设备和工业应用中具有广泛的应用前景,能够满足多种复杂系统对高性能和可靠性的严格要求。
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