--- 产品参数 ---
- 封装 TO247
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、AOK53S60L-VB产品简介
AOK53S60L-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO247封装,适用于高功率和高电压应用场合。该器件具有650V的漏源电压(VDS)、±30V的栅源电压(VGS)和3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS为10V时,其导通电阻为75mΩ,支持最大47A的漏极电流(ID)。采用SJ_Multi-EPI技术制造,具备良好的高电压容忍能力和稳定的性能特性,适合于要求高功率处理和可靠性的应用环境。
### 二、AOK53S60L-VB详细参数说明
- **封装类型**:TO247
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:75mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:47A
- **技术**:SJ_Multi-EPI

### 三、应用领域和模块示例
AOK53S60L-VB MOSFET适用于多种高功率和高电压应用领域:
1. **电动车充电桩**:
- **快速充电站**:用于电动车快速充电桩的高功率转换和电池管理,支持高效率和高功率输出。
2. **电力电子**:
- **变频器**:在工业电机驱动和控制系统中,支持高效能的变频操作和精确的速度控制。
- **电力转换器**:用于电网应用中的高压直流电源转换和电力管理。
3. **工业自动化**:
- **电力因数校正器(PFC)**:用于提高工业和商业电力系统的功率因数和效率。
- **工业电源**:在高压工业设备和机器人控制系统中,提供稳定的高压电源管理和控制。
AOK53S60L-VB MOSFET以其高功率处理能力、优秀的高电压容忍和稳定性,特别适用于要求高效能和可靠性的工业电子和电力电子应用场合。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:12
产品型号:BUK657-600B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:09
产品型号:BUK657-500B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:07
产品型号:BUK657-500A-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:06
产品型号:BUK657-450B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:03
产品型号:BUK657-400B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N