--- 产品参数 ---
- 封装 DFN6(2X2)-B
- 沟道 Dual-P+P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**AON2801-VB** 是一款双P+P-沟道MOSFET,采用Trench技术,封装为DFN6(2X2)-B。它适用于需要在负载开关和功率管理中提供双通道驱动的应用。
### 二、详细的参数说明
- **封装类型**: DFN6(2X2)-B
- **配置**: 双P+P-沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: -30V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 60mΩ @ VGS = 4.5V
- 38mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -5.4A
- **技术类型**: Trench
### 三、适用领域和模块的应用例子
**AON2801-VB** 可以在以下领域和模块中广泛应用:
1. **电池管理**:
- 在便携式电子设备和电池供电系统中,AON2801-VB可用于电池保护电路和电源管理单元,提供双通道的高效能量转换和稳定的负载控制。
2. **电源开关**:
- 在低压直流电源开关和功率管理系统中,该器件可以作为高效的电能转换器件,用于实现低损耗的电源开关和电压调节功能。
3. **手机和平板电脑**:
- 在手机和平板电脑的电源管理模块中,AON2801-VB可以用于处理双通道电源需求,如充电管理和电池保护,以提高设备的电池寿命和性能表现。
4. **USB充电器**:
- 在USB充电器和电源适配器中,该器件可以用于高效率的电能转换和稳定的充电电流控制,确保充电过程的安全性和稳定性。
5. **电动工具**:
- 在需要双通道电源开关和高功率控制的电动工具和家用电器中,AON2801-VB可以提供可靠的功率管理和电源控制,以确保设备的稳定运行和长寿命。
综上所述,AON2801-VB适用于需要双通道驱动和高效能量转换的多种应用场合,其特有的双P+P-沟道设计和优异的性能特性使其成为电子和电力管理领域的理想选择。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:12
产品型号:BUK657-600B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:09
产品型号:BUK657-500B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:07
产品型号:BUK657-500A-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:06
产品型号:BUK657-450B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:03
产品型号:BUK657-400B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N