--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
AOTF18N65-VB是一款高性能单N沟道功率MOSFET,专为高压应用设计。采用先进的Plannar技术和TO220F封装,具有优异的导通特性和稳定的电气性能,适合要求高效能和可靠性的电源管理和开关控制应用。
### 详细参数说明
- **型号**:AOTF18N65-VB
- **封装形式**:TO220F
- **配置**:单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:320mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**:20A
- **技术类型**:Plannar
### 应用领域和模块
AOTF18N65-VB适用于多种高压和中等电流的应用场景,具体包括但不限于:
- **工业电源和驱动器**:在工业设备、马达驱动器和电源逆变器中,AOTF18N65-VB可用作功率开关和电源管理,提供可靠的电能转换和稳定的电力输出。
- **电动工具**:在高压电动工具和园艺设备中,这款MOSFET可作为电源开关和控制器,提供高效的电流控制和功率管理,确保设备的高性能和可靠性。
- **电动汽车充电桩**:在电动车充电设备中,AOTF18N65-VB用于开关控制和电流保护,确保充电桩的高效充电和安全操作,适用于家庭和公共充电桩的高压应用。
- **UPS系统**:在不间断电源系统中,AOTF18N65-VB可作为电源开关和电压调节器,确保在电力中断时的持续供电,适用于各种应急电源系统和关键设施的稳定运行。
总体来说,AOTF18N65-VB凭借其高电压处理能力、低导通电阻和高漏极电流能力,适用于各种高效能和高可靠性要求的电源管理系统和控制设备,是工业和电子领域中的理想选择。
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