--- 产品参数 ---
- 封装 TO251
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**AOU405-VB** 是一款单P沟道MOSFET,采用TO251封装。它具备-30V的漏极-源极电压(VDS)和-40A的最大连续漏极电流(ID),适合用于负电压电源和负载开关控制应用。采用Trench技术,该器件具有低导通电阻和高效能的特点。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**: TO251
- **配置**: 单P沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: -30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 22mΩ @ VGS=4.5V, 18mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -40A
- **技术**: Trench
### 三、适用领域和模块
**AOU405-VB** 主要适用于以下领域和模块:
1. **负电源开关**: 在需要负电压开关和负载控制的电路中,如负电压电源模块、负电源稳压器等,AOU405-VB能够提供可靠的电流控制和高效的能量转换。
2. **电池保护**: 在便携设备和电动工具中,作为电池保护和电流开关器件,确保电池的安全充放电和电路的稳定工作。
3. **DC-DC转换器**: 在各种DC-DC转换器中,特别是需要负电压输出的场合,AOU405-VB能够有效地控制电流和功率传输,提高转换效率。
4. **电源管理**: 在车载电子设备、消费类电子产品中,作为电源管理和开关器件,提供稳定的电压调节和电流开关功能。
5. **电机驱动**: 在特定的电机驱动系统中,需要负电压控制的应用,如电动汽车的驱动器、电动工具的电机控制器等,提供可靠的电流开关和保护功能。
通过以上应用示例,AOU405-VB展现出在负电压电源和负载控制方面的重要性,为系统提供高效、稳定和可靠的电力解决方案。
为你推荐
-
AP03N70J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 13:54
产品型号:AP03N70J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP03N70J-H-HF-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 13:51
产品型号:AP03N70J-H-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP03N70J-HF-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 13:49
产品型号:AP03N70J-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP03N70J-A-HF-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 13:48
产品型号:AP03N70J-A-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP03N70I-A-HF-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 13:46
产品型号:AP03N70I-A-HF-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP03N70H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 13:45
产品型号:AP03N70H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP03N70H-H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 13:44
产品型号:AP03N70H-H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP03N70H-H-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 13:42
产品型号:AP03N70H-H-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP03N70H-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 13:41
产品型号:AP03N70H-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP03N70F-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-13 13:39
产品型号:AP03N70F-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N