--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、AP09N70I-A-HF-VB 产品简介
AP09N70I-A-HF-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,采用平面技术设计,具备高电压承受能力和低导通电阻的特点。该器件封装在TO220F外壳中,适合要求紧凑和高功率应用的电力转换和管理。
### 二、AP09N70I-A-HF-VB 详细参数说明
- **型号**: AP09N70I-A-HF-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: 平面技术

### 三、AP09N70I-A-HF-VB 适用领域和模块说明
AP09N70I-A-HF-VB 在多种高压电力转换和管理领域中具有广泛应用,以下是一些具体的应用领域和模块举例:
1. **电动汽车充电桩**:
AP09N70I-A-HF-VB 可用于电动汽车充电桩中的电力转换器和充电控制模块。其高电压承受能力和低导通电阻确保了高效率和可靠性,支持快速充电和长期使用。
2. **工业高压电源**:
在工业设备中,特别是需要高压稳定电源的场合,如工业用途的高压电源供应模块和逆变器,AP09N70I-A-HF-VB 能够提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
3. **太阳能逆变器**:
在太阳能发电系统的逆变器中,AP09N70I-A-HF-VB 可以帮助提高能量转换效率,适用于大规模的光伏电站和家庭太阳能系统。
4. **医疗设备**:
在医疗设备中,如高压X射线发生器和医疗成像设备,AP09N70I-A-HF-VB 的高电压特性和稳定性能保证了设备的可靠性和安全性。
通过这些应用实例,可以看出AP09N70I-A-HF-VB 在各种高压、高功率应用中发挥着重要作用,为电力转换和管理提供了强大的解决方案。
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