--- 产品参数 ---
- 封装 SOT223
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP18T10AGK-HF-VB 产品简介
AP18T10AGK-HF-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用SOT223封装,设计用于要求高性能和紧凑空间的应用。其先进的沟槽型技术和优化的结构设计使其在电源管理和各种低功率应用中表现出色。
### AP18T10AGK-HF-VB 参数说明
- **封装类型**: SOT223
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 120mΩ @ VGS=4.5V
- 100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 5A
- **技术类型**: 沟槽型 (Trench)
### 应用领域和模块举例
1. **电源管理**: AP18T10AGK-HF-VB 在各种低功率电源管理模块中广泛应用,特别适用于小型电源适配器、移动充电器和便携式设备中的开关电源控制。
2. **消费电子**: 在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和便携式音响中,AP18T10AGK-HF-VB 可用于电源管理和电池充放电控制,提供高效的能源管理和长时间的使用时间。
3. **医疗设备**: 由于其小尺寸和高性能特性,该MOSFET在医疗设备中得到广泛应用,如便携式医疗仪器和健康监测设备中的电源管理和控制电路。
4. **工业传感器接口**: 在工业控制和传感器接口中,AP18T10AGK-HF-VB 可用于低功耗的开关控制和信号放大,帮助提高系统的响应速度和能效。
5. **车载电子**: 在汽车电子系统中,如车载充电器、车载娱乐系统和车载电动机控制中,该MOSFET可以用于电源开关和驱动控制,确保系统的稳定性和安全性。
AP18T10AGK-HF-VB 由于其高效能和紧凑的封装设计,在各种对空间和功耗要求严格的电子设备和系统中都有广泛的应用,是现代电子设计中的重要组成部分。
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