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微碧半导体VBsemi

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AP2851O-VB一款Dual-N+P沟道TSSOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AP2851O-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TSSOP8
  • 沟道 Dual-N+P

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、AP2851O-VB 产品简介

AP2851O-VB 是一款双 N+P 通道 MOSFET,采用了沟槽技术,封装为TSSOP8。它结合了双 N 通道和单 P 通道的特性,适用于需要控制双向电流和功率管理的应用。

### 二、AP2851O-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TSSOP8
- **配置**:双 N+P 通道
- **漏源电压 (VDS)**:±30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:
 - N 通道:2V
 - P 通道:-2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - N 通道:
   - 2mΩ @ VGS=4.5V
   - 2mΩ @ VGS=10V
 - P 通道:
   - 14mΩ @ VGS=4.5V
   - 7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:
 - N 通道:6.2A
 - P 通道:5A
- **技术**:沟槽 (Trench)

### 三、AP2851O-VB 应用领域和模块

1. **电源开关模块**:
  AP2851O-VB 的双 N+P 通道设计使其非常适合用于电源开关模块,特别是需要控制正负电压的应用。例如,可以用于笔记本电脑和平板电脑的电池管理系统中,确保电池的有效充放电和保护功能。

2. **电动工具和家用电器**:
  在电动工具和家用电器中,AP2851O-VB 可以作为驱动电机的功率开关,控制电机的启停和速度。其低导通电阻和高电流承受能力确保了设备的高效能运行。

3. **充电器和逆变器**:
  在充电器和逆变器中,需要控制正反向电流和处理高功率的场合,AP2851O-VB 可以提供可靠的电流开关功能,保证设备的稳定和效率。

4. **电动车充电管理**:
  在电动车的充电管理系统中,AP2851O-VB 可以用于电池组的充放电控制和电池保护功能,确保电动车的安全和长寿命。

AP2851O-VB 的双 N+P 通道设计和优异的电气特性使其适用于多种需要双向电流控制和高功率管理的应用,从消费电子到工业设备均有广泛的应用潜力。

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