--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP3989I-HF-VB 产品简介
AP3989I-HF-VB 是一款单N沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装。它具有高电压承受能力和适中的导通电阻,适用于需要高电压和高电流控制的电路中。
### AP3989I-HF-VB 参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N-通道
- **漏源极电压 (VDS)**:650V
- **栅极电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:680mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**:12A
- **技术**:Plannar

### AP3989I-HF-VB 适用领域和模块
AP3989I-HF-VB 由于其高电压承受能力和适中的导通电阻特性,适用于以下领域和模块:
1. **电源逆变器**:在需要高电压和高效能转换的电源逆变器中,AP3989I-HF-VB 可用作开关管,支持高功率输出和稳定的电压转换。
2. **电动车充电器**:在电动车充电系统中,AP3989I-HF-VB 可以用于控制和调节电池充电过程中的高电压和大电流,确保快速充电和电池保护。
3. **工业控制设备**:适用于各类工业控制设备中的电源管理和开关控制,如工业自动化设备和机器人控制系统。
4. **电力供应系统**:在电力供应系统中,AP3989I-HF-VB 可以用于电力分配和电压调节,保证系统的稳定性和可靠性。
5. **UPS 反向电源**:在UPS(不间断电源)系统中,AP3989I-HF-VB 可作为开关电路的重要组成部分,保证电力系统在电网供电中断时的可靠备份。
综上所述,AP3989I-HF-VB 是一款适用于高电压和高电流控制的单N沟道 MOSFET,其设计和特性使其在多种工业和电子设备中都能发挥重要作用。
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