--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
AP60L02P-VB 是一款单路 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装。它具有低导通电阻、高电流承载能力和高耐压特性,适用于各种需要高功率和高效能的应用场合。
### 2. 详细参数说明
- **包装类型:** TO220
- **配置:** 单-N-沟道
- **耐压(VDS):** 30V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 4.5V时:10mΩ
- 10V时:7mΩ
- **漏极电流(ID):** 最大值为 70A
- **技术特点:** Trench 结构
### 3. 应用领域和模块示例
- **电源管理:** AP60L02P-VB 可用作 DC-DC 转换器和开关电源的主要功率开关,通过其低导通电阻和高电流承载能力提高能量转换效率。
- **电动工具:** 在电动工具和工业设备中,该 MOSFET 可作为电机驱动器件,支持高功率输出和长时间运行。
- **电动车辆:** 在电动汽车和混合动力汽车中,AP60L02P-VB 用于电动驱动系统和电池管理系统,提供高效率的电能转换和功率控制。
- **工业自动化:** 适用于工业自动化设备的电源管理和电机驱动,确保设备在高负载和复杂工作条件下的稳定运行。
- **消费电子:** 在大功率消费电子产品中,例如家用电器和音响系统,该 MOSFET 提供了可靠的功率控制和高效的能源管理解决方案。
这些示例展示了 AP60L02P-VB 在多种应用中的广泛适用性,通过其优秀的电气特性和可靠性,为各种功率管理需求提供了重要的支持和解决方案。
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