--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
AP62T02GH-VB 是一款单路 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。它具有低导通电阻、高电流承载能力和高效率的功率管理特性,适用于各种需要高功率和高性能的电子设备和系统。
### 2. 详细参数说明
- **包装类型:** TO252
- **配置:** 单-N-沟道
- **耐压(VDS):** 30V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 4.5V时:6mΩ
- 10V时:5mΩ
- **漏极电流(ID):** 最大值为 80A
- **技术特点:** Trench 结构
### 3. 应用领域和模块示例
- **电源管理:** AP62T02GH-VB 可用作 DC-DC 转换器和开关电源的主要功率开关,通过其低导通电阻和高电流承载能力,提高能量转换效率和系统稳定性。
- **电动工具和电动车辆:** 在电动工具、电动车辆和电动机控制中,该 MOSFET 可作为电机驱动器件,支持高功率输出和长时间运行。
- **工业自动化:** 适用于工业控制系统中的电源管理和电机驱动,确保设备在高负载和复杂环境下的可靠运行。
- **服务器和数据中心:** 在高性能服务器和数据中心的电源管理系统中,AP62T02GH-VB 提供了高效的功率转换和稳定的电能输出,确保设备的持续运行和数据安全。
这些示例展示了 AP62T02GH-VB 在多个领域的广泛应用性,通过其优异的电气特性和可靠性,为各种功率管理需求提供了重要的支持和解决方案。
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