--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**AP6679BGP-HF-VB** 是一款高性能的单极性(P-Channel)MOSFET,采用TO220封装。它采用先进的沟槽(Trench)技术,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于需要高功率和高效率的电子应用。
### 二、详细参数说明
1. **封装形式**:TO220
2. **配置**:Single-P-Channel
3. **击穿电压(VDS)**:-30V
4. **栅极电压(VGS)**:±20V
5. **阈值电压(Vth)**:-2.5V
6. **导通电阻(RDS(ON))**:
- @VGS = 4.5V:11mΩ
- @VGS = 10V:8mΩ
7. **漏极电流(ID)**:-70A
8. **技术**:Trench

### 三、应用领域和模块示例
**AP6679BGP-HF-VB** MOSFET 由于其低导通电阻和高电流特性,适用于以下领域和模块:
1. **电源管理系统(Power Management Systems)**:
- 在电源开关和DC-DC转换器中,用作功率开关,支持高效的电能转换和电路稳定性。
2. **电池管理系统(Battery Management Systems)**:
- 在便携式设备和电动工具中,用于充电和放电控制,确保电池的有效管理和安全操作。
3. **汽车电子(Automotive Electronics)**:
- 在汽车电子控制单元(ECU)中,用于电动车辆的电动驱动系统和电池管理,提供高效的动力输出和能源利用率。
4. **电动工具和家用电器(Power Tools and Home Appliances)**:
- 在高功率电动工具和家电中,用于电机控制和功率开关,提升设备的性能和使用寿命。
5. **工业自动化设备(Industrial Automation Equipment)**:
- 在工业控制系统中,作为高功率开关和电压调节器,支持机械运行和电力传输的稳定性和效率。
**AP6679BGP-HF-VB** MOSFET 的设计使其成为处理高功率和高效率要求的理想选择,为各种应用提供可靠的功率控制解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12