--- 产品参数 ---
- 封装 Single-N
- 沟道 TO262
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**AP90T03GR-VB** 是一款单N-Channel MOSFET,采用TO262封装。该器件具有较低的导通电阻和高达90A的漏极电流承载能力,适用于需要高效能和高功率密度的应用场景,如电源管理和电机控制等。
### 二、详细参数说明
1. **封装形式**:TO262
2. **配置**:Single-N-Channel
3. **击穿电压(VDS)**:30V
4. **栅极电压(VGS)**:20V(±V)
5. **阈值电压(Vth)**:1.7V
6. **导通电阻(RDS(ON))**:
- @VGS = 4.5V:7mΩ
- @VGS = 10V:4mΩ
7. **漏极电流(ID)**:90A
8. **技术**:Trench
### 三、应用领域和模块示例
**AP90T03GR-VB** 适用于多种高功率应用领域和模块:
1. **电源管理(Power Management)**:
- 在开关电源和DC-DC转换器中,作为高效能开关器件,有助于提高电源转换效率,适用于服务器、数据中心和电信设备的电源管理。
2. **电机驱动(Motor Drives)**:
- 用于电动工具、电动车和工业电机驱动,提供高电流和低损耗的开关能力,确保电机的高效能运行和稳定性。
3. **不间断电源(UPS)**:
- 作为UPS系统中的关键功率器件,确保在电源中断时提供稳定的电力支持,适用于数据中心、医院和工业控制系统。
4. **汽车电子(Automotive Electronics)**:
- 应用于汽车电子控制单元(ECU)、电动助力转向系统(EPS)和电池管理系统(BMS),提高汽车电子系统的可靠性和效率。
5. **可再生能源系统(Renewable Energy Systems)**:
- 在太阳能逆变器和风能转换器中,作为关键功率开关器件,提高能源转换效率和系统稳定性。
**AP90T03GR-VB** 的低导通电阻和高电流能力使其成为高效能、高功率应用中的理想选择。其在电源管理、电机驱动和汽车电子等领域中的应用,有助于提高系统的整体性能和可靠性。
为你推荐
-
AP9960GM-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:27
产品型号:AP9960GM-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
AP9960GM-HF-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:25
产品型号:AP9960GM-HF-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
AP9960GJ-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:23
产品型号:AP9960GJ-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9960GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:22
产品型号:AP9960GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9960GD-VB一款Dual-N沟道DIP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:21
产品型号:AP9960GD-VB 封装:DIP8 沟道:Dual-N -
AP9960AGM-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:20
产品型号:AP9960AGM-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
AP9960AGM-HF-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:19
产品型号:AP9960AGM-HF-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
AP9950GP-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:15
产品型号:AP9950GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AP9950AGP-HF-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:14
产品型号:AP9950AGP-HF-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AP9950AGH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:12
产品型号:AP9950AGH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N