--- 产品参数 ---
- 封装 Single-N
- 沟道 TO220
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介详细:
AP90T03P-HF-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用先进的Trench技术,设计用于需要高电流承载能力和低导通电阻的应用。其封装类型为TO220,适合高功率密度的电子设备和系统。
- **包装类型:** TO220
- **配置:** 单N沟道
- **最大漏极-源极电压(VDS):** 30V
- **最大栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 4mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 120A
- **技术:** Trench
### 详细参数说明:
1. **包装和配置:**
- **TO220封装:** 提供了优良的热管理和电气性能,适用于高功率应用,如电源管理和大功率开关。
2. **电气特性:**
- **低导通电阻:**
- 4mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V,确保在高电流负载和低电压条件下的低损耗和高效率。
- **高电流承载能力:** 最大漏极电流达到120A,适合于处理大功率负载和高频率开关需求。
- **稳定的阈值电压:** 1.7V的阈值电压确保了在各种电压条件下的稳定工作。
3. **技术优势:**
- **Trench技术:** 使用Trench结构设计,优化了导通性能和热稳定性,提高了能量转换效率和系统可靠性。
### 应用示例:
AP90T03P-HF-VB MOSFET 可广泛应用于以下领域和模块:
- **电源管理和逆变器:** 在DC-DC转换器和电源逆变器中,用于高效率能量转换和稳定的电流控制,确保设备的高效运行和长期可靠性。
- **电动工具和电动车辆:** 适用于电动工具和电动汽车中的电机驱动控制,支持高功率和高效率的电能管理需求,提供卓越的性能和耐用性。
- **电源开关:** 作为高频率开关,用于工业自动化和通信设备中,确保系统的高效运行和稳定性能,提供可靠的功率控制。
这些示例展示了AP90T03P-HF-VB在高功率、高效率电子设计中的广泛应用,突显了其在现代电力电子领域中的重要性和多功能性。
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