--- 产品参数 ---
- 封装 Single-N
- 沟道 TO220F
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介详细:
AP92T03GI-HF-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于需要高电流和低导通电阻的应用场合。该器件采用先进的 Trench 技术,具有优异的导通特性和高效的功率管理能力,适合用于各种功率电子设备和电源管理系统中。
### 2. 详细的参数说明:
- **封装类型**: TO220F
- **通道类型**: 单 N 沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通时的静态电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 4.5V: 5mΩ
- @ VGS = 10V: 4mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 最大值 140A
- **技术特点**: Trench 技术,提供低导通电阻和高电流处理能力,适用于高效的电源开关和功率管理应用。
### 3. 应用示例:
- **电动车辆**: 在电动汽车和电动自行车的电机驱动系统中,AP92T03GI-HF-VB 可以用作电机控制的主要开关元件,支持高达140A 的电流输出,确保电动车辆的高效动力输出和节能减排。
- **工业电子设备**: 在工业自动化设备和电源管理系统中,该器件可以用于高效的电源开关和电流控制电路,确保设备的稳定运行和长期可靠性。
- **通信设备**: 在高速通信设备的电源管理模块中,AP92T03GI-HF-VB 可以用于DC-DC转换器和功率逆变器中,提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
- **消费电子产品**: 在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等消费电子产品中,该 MOSFET 可以用于电池管理系统和充放电控制电路,提升电池使用寿命和充电速度。
这些示例说明了 AP92T03GI-HF-VB 在多个领域中的适用性,展示了其在高电流、低导通电阻需求下的重要作用和实际应用场景。
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