--- 产品参数 ---
- 封装 Single-N
- 沟道 TO251
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
AP92T03GJ-HF-VB是一款单N沟道场效应管(Single-N-Channel MOSFET),采用TO251封装。该产品采用先进的Trench工艺,具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热特性,适合高功率密度和高效能电子应用。
### 2. 详细参数说明
- **封装类型**: TO251
- **结构类型**: 单N沟道(Single-N-Channel)
- **耐压(VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- 3.5mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 100A
- **技术特点**: Trench工艺
### 3. 应用示例
AP92T03GJ-HF-VB适用于以下领域和模块:
- **电源管理**: 在高效能电源转换器、DC-DC转换器和稳压器中,作为主要的功率开关元件。其低导通电阻和高电流承载能力能够提供高效的能源转换和稳定的电源输出。
- **电动车辆**: 在电动汽车(EV)和混合动力车辆(HEV)的电动驱动系统中,用作电机驱动器件。其优异的导通特性和热稳定性,有助于提高车辆的性能和能效。
- **工业自动化**: 在工业控制系统、机器人技术和自动化设备中,用于开关电路和电源管理。其高电流承载能力和稳定的性能,支持设备的可靠操作和长期稳定性。
- **服务器和数据中心**: 在高性能服务器和数据中心的电源管理和功率分配中,用作关键的功率开关元件。其低导通电阻和高效率,有助于提高数据处理设备的能源利用率和系统可靠性。
这些应用示例展示了AP92T03GJ-HF-VB因其优异的电气特性和可靠性,在各种高功率密度和高效能要求的电子应用中具有广泛的应用潜力。
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