--- 产品参数 ---
- 封装 Single-N
- 沟道 DFN8(5X6)
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:
AP92U03GMT-HF-VB是一款单通道N沟道功率MOSFET,采用先进的沟道技术制造,封装为DFN8(5X6),适合于高功率密度和紧凑空间的应用场景。该器件具有30V的漏极-源极电压(VDS),20V的门极-源极电压(VGS),并且在不同的工作条件下具备低导通电阻(RDS(ON)),适用于要求高效率和高电流处理能力的电子系统。
### 参数说明:
- **型号:** AP92U03GMT-HF-VB
- **封装:** DFN8(5X6)
- **配置:** 单通道N沟道
- **VDS(漏极-源极电压):** 30V
- **VGS(门极-源极电压):** ±20V
- **门极阈值电压(Vth):** 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 120A
- **技术:** 沟道技术(Trench)
### 应用领域示例:
1. **电动工具和电动车辆:** AP92U03GMT-HF-VB适用于电动工具和电动车辆中的功率开关模块,如电机驱动和电池管理系统,能够提供高效能和高电流处理能力。
2. **电源模块和DC-DC转换器:** 在需要高功率密度和紧凑设计的电源模块和DC-DC转换器中,该器件可以作为关键的功率开关元件,支持电源转换的高效率和稳定性。
3. **工业自动化和机器人控制:** 在工业自动化设备和机器人控制系统中,AP92U03GMT-HF-VB能够提供稳定的功率开关功能,确保设备的高效运行和长期可靠性。
4. **消费电子产品:** 由于其小型封装和高性能特性,适用于消费电子产品如智能手机快充器、平板电脑电池管理等,提升产品的充电速度和效率。
综上所述,AP92U03GMT-HF-VB在多个领域中展示出其高效率、高性能和紧凑设计的优势,为各种功率控制和转换应用提供了可靠的解决方案。
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