--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP9467GH-VB MOSFET 产品简介
AP9467GH-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,具有高电流承载能力和低导通电阻。其封装为 TO252,适合在各种功率电子应用中进行高效能量转换和电路控制。
### AP9467GH-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:40V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:85A
- **技术**:Trench
### 应用领域和模块
AP9467GH-VB 适用于以下领域和模块:
1. **电动汽车充电器**:由于其高导通电流和低导通电阻特性,适合用于电动汽车充电器的高效能量转换和电力管理,提高充电效率和系统可靠性。
2. **直流-直流转换器**:在直流-直流转换器中,AP9467GH-VB 可以用于高功率转换和稳压控制,适用于服务器、工作站和通信设备的电源模块。
3. **工业电源供应**:在工业自动化设备和机械控制系统中,该 MOSFET 可以提供可靠的功率开关和电流调节,确保设备在高负载条件下的稳定运行。
4. **电池管理系统**:在电池充放电管理系统中,AP9467GH-VB 可以用于电流控制和电压稳定,保护电池免受过充和过放的影响,延长电池寿命。
5. **电源模块**:在各种电源模块中,如桌面电源、工业电源和医疗设备电源,该器件能够提供高效的电力转换和精确的电压调节,满足不同应用的需求。
通过以上应用示例,可以看出 AP9467GH-VB MOSFET 在多个领域和模块中都具有重要的应用潜力,为现代功率电子系统提供了高效和可靠的解决方案。
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