--- 产品参数 ---
- 封装 TO251
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP9469HJ-VB 产品简介
AP9469HJ-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO251封装。这款MOSFET具有优异的导通特性和高电流承载能力,适合于要求高效率和可靠性的功率管理和开关应用。其采用先进的沟槽技术,能够在低压降和高电流环境下表现出色,是现代电子设备中重要的功率开关元件之一。
### AP9469HJ-VB 详细参数说明
- **封装形式**:TO251
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:40V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 13mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:55A
- **技术类型**:Trench(沟槽技术)
### 应用领域和模块示例
AP9469HJ-VB MOSFET 可以广泛应用于以下各种领域和模块中:
1. **电源模块**:适用于各种类型的电源模块,如服务器电源、工业电源和通信设备电源模块。其高电流承载能力和低导通电阻能够提供稳定的电源输出和高效的电能转换。
2. **电机驱动**:在各类电机驱动应用中,包括工业自动化中的电动机控制、电动工具和电动车辆中的电机驱动系统。通过控制电机的启停和速度,提高设备的效率和能效。
3. **DC-DC转换器**:在需要高功率密度和高效率的DC-DC转换器中,AP9469HJ-VB 可以作为开关管,实现快速响应和高效的能量转换,适用于电信基站、医疗设备和工业自动化等领域。
4. **电池管理系统**:作为电池管理系统中的开关元件,用于电池充放电控制和保护,防止过载和过放,提高电池的使用寿命和安全性。
5. **汽车电子**:在汽车电子系统中,如电动汽车的电池管理、电机控制和充电系统中,AP9469HJ-VB 可以提供稳定的电力管理和高效的电能转换,满足汽车电子系统对高性能和可靠性的需求。
通过以上示例,可以看出AP9469HJ-VB MOSFET 在功率管理、电机驱动和电能转换等多个领域中具有广泛的应用和重要的作用,是现代电子设备设计中不可或缺的关键部件之一。
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