--- 产品参数 ---
- 封装 SOT223
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP9477GK-HF-VB 产品简介
AP9477GK-HF-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SOT223封装。该器件具有适中的导通电阻和较高的漏极电压,适用于低至中功率的电源管理和负载开关应用。通过Trench技术设计,AP9477GK-HF-VB结合了性能和可靠性。
### AP9477GK-HF-VB 详细参数说明
- **封装类型**:SOT223
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:60V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 33mΩ @ VGS=4.5V
- 28mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:7A
- **技术类型**:Trench
### AP9477GK-HF-VB 应用领域和模块举例
1. **低至中功率电源管理**:AP9477GK-HF-VB适用于低至中功率范围的电源管理应用,如电源适配器、笔记本电脑充电器和其他便携式电子设备的DC-DC转换器。
2. **电池保护和管理**:在便携式电子设备和电池驱动系统中,该MOSFET可用于电池保护和管理,确保电池在充放电过程中的稳定性和安全性。
3. **消费电子产品**:AP9477GK-HF-VB适合于各种消费电子产品,如智能手机、平板电脑和数码相机中的功率管理和开关控制功能。
4. **工业控制**:在工业控制系统中,该MOSFET可以用于电机驱动、电源管理和开关控制,支持工业自动化设备的高效能和稳定运行。
通过采用AP9477GK-HF-VB,设计工程师可以实现针对低至中功率范围的高效能、高可靠性的电源管理和负载控制解决方案,满足各种应用领域的需求。
为你推荐
-
AP9T18J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:11
产品型号:AP9T18J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T18GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:10
产品型号:AP9T18GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T18GEH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:09
产品型号:AP9T18GEH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:08
产品型号:AP9T16J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T16H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:06
产品型号:AP9T16H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:05
产品型号:AP9T16GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16AGH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:04
产品型号:AP9T16AGH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:03
产品型号:AP9T15J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T15H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:01
产品型号:AP9T15H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15GJ-HF-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:00
产品型号:AP9T15GJ-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-N