--- 产品参数 ---
- 封装 Single-N
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP9478M-VB MOSFET 产品简介
AP9478M-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,具有高电压承载能力和低导通电阻。其封装为 SOP8,适合在各种电子设备中进行功率控制和管理。
### AP9478M-VB 详细参数说明
- **封装类型**:SOP8
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:60V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 35mΩ @ VGS=4.5V
- 25mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:7.6A
- **技术**:Trench
### 应用领域和模块
AP9478M-VB 适用于以下领域和模块:
1. **电源管理**:由于其高漏源极电压和低导通电阻特性,适合用于开关电源、DC-DC 转换器和功率逆变器,提供高效的功率转换和电能管理。
2. **电动工具**:在电动工具的电机控制和电池管理系统中,该器件能够提供高效的功率开关和精确的电流调节,增强工具的性能和使用寿命。
3. **电动车充电设备**:在电动车充电器中,AP9478M-VB 可以用于高功率转换和电能管理,提高充电效率和系统的安全性。
4. **LED 照明**:在高功率 LED 照明系统中,该 MOSFET 可以用作电流控制和稳定的功率开关,确保 LED 灯具的稳定性和长寿命。
5. **工业自动化**:在工业控制和自动化设备中,AP9478M-VB 可以应用于各种电源模块和电路控制,确保设备在恶劣环境中的可靠运行。
通过以上应用示例,可以看出 AP9478M-VB MOSFET 在多个领域和模块中都具有重要的应用潜力,为现代功率电子系统提供了高效和可靠的解决方案。
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