--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP9575AGS-HF-VB 产品简介### AP9575AGS-HF-VB 产品简介
AP9575AGS-HF-VB 是一款高性能单P沟道MOSFET,采用先进的Trench工艺制造,封装形式为TO263。该器件具有较高的负漏源极电压能力、较低的导通电阻和高电流能力,适用于需要高效能和可靠性的高功率开关和控制应用。
### AP9575AGS-HF-VB 详细参数说明
- **封装形式**: TO263
- **配置**: 单P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: -60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 60mΩ @ VGS=4.5V
- 48mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -35A
- **技术**: Trench
### AP9575AGS-HF-VB 应用领域和模块示例
由于其高负漏源极电压能力和较低导通电阻,AP9575AGS-HF-VB 可以广泛应用于以下领域和模块:
1. **电源管理**:适用于高功率的DC-DC转换器和电源管理模块,如高功率稳压电源和电源开关控制。
2. **电动汽车**:在电动汽车系统中,用于电池管理系统(BMS)、电动机控制器和高功率开关,确保电动汽车的高效能和安全性。
3. **工业自动化**:在工业控制系统中,用于大功率电流控制、反向电压保护和电源管理,支持工业设备的高效运行和电力保护。
4. **太阳能和风能发电**:在可再生能源发电系统中,用于太阳能逆变器和风能控制器的功率开关,提供高效能的能量转换和电力管理。
5. **通信设备**:在通信基站和网络设备中,用于高功率的功率放大器控制和射频信号处理电路的电源管理,保证通信设备的稳定运行和高效能的数据传输。
AP9575AGS-HF-VB 的特性使其成为高功率开关和控制应用的理想选择,能够满足多种工业和消费电子设备对高性能MOSFET的需求,提供稳定和高效的电力解决方案。
为你推荐
-
AP9960GM-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:27
产品型号:AP9960GM-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
AP9960GM-HF-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:25
产品型号:AP9960GM-HF-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
AP9960GJ-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:23
产品型号:AP9960GJ-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9960GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:22
产品型号:AP9960GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9960GD-VB一款Dual-N沟道DIP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:21
产品型号:AP9960GD-VB 封装:DIP8 沟道:Dual-N -
AP9960AGM-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:20
产品型号:AP9960AGM-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
AP9960AGM-HF-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:19
产品型号:AP9960AGM-HF-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
AP9950GP-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:15
产品型号:AP9950GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AP9950AGP-HF-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:14
产品型号:AP9950AGP-HF-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AP9950AGH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:12
产品型号:AP9950AGH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N