--- 产品参数 ---
- 封装 TO251
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP9575GJ-HF-VB 产品简介
AP9575GJ-HF-VB是一款单P沟道MOSFET,采用TO251封装。该器件采用先进的Trench技术,具有高达-60V的漏源电压能力和适中的导通电阻,适用于各种负载开关和功率管理应用。
### AP9575GJ-HF-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO251
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 80mΩ @ VGS = 4.5V
- 66mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: -20A
- **技术**: Trench
### 应用领域与模块举例
#### 电动车辆充电管理
AP9575GJ-HF-VB适用于电动车辆的充电管理模块,包括电池充电控制和电动车充电桩中的功率开关。其高漏源电压和电流处理能力确保在高功率充电条件下的安全和效率。
#### 工业自动化设备
在工业自动化设备中,AP9575GJ-HF-VB可以用作主开关器件,用于各种工业控制系统和机械设备中的电源管理和控制单元。其可靠的性能和高电流处理能力确保设备稳定运行。
#### 医疗设备电源管理
在医疗设备中,AP9575GJ-HF-VB可用于各种医疗设备的电源管理模块,包括便携式医疗设备和医院设备的电源开关和控制。其高性能和稳定性使其能够满足医疗行业对电源安全性和可靠性的严格要求。
#### 消费电子产品
在消费电子产品中,如笔记本电脑和平板电脑的电源管理和电池充电控制模块,AP9575GJ-HF-VB可以作为关键的功率开关器件。其小型封装和高效能量转换特性适合于有限空间内的高功率应用。
AP9575GJ-HF-VB以其高漏源电压能力、适中的导通电阻和广泛的应用领域,为各种电子设备提供了可靠的功率管理解决方案。
为你推荐
-
AP9T18J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:11
产品型号:AP9T18J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T18GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:10
产品型号:AP9T18GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T18GEH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:09
产品型号:AP9T18GEH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:08
产品型号:AP9T16J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T16H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:06
产品型号:AP9T16H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:05
产品型号:AP9T16GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16AGH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:04
产品型号:AP9T16AGH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:03
产品型号:AP9T15J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T15H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:01
产品型号:AP9T15H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15GJ-HF-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:00
产品型号:AP9T15GJ-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-N